Подсистемы хранения данных



         

Точка невозвращения


Однако многие эксперты все-таки не верят в перспективы флэш-памяти в сфере миниатюризации и увеличения скорости функционирования. Считают, что куда более рациональным методом развития энергонезависимых технологий памяти является ферроэлектрический принцип хранения информации (Ferroelectric RAM). Памяти FeRAM (FRAM), принцип функционирования которой базируется на свойствах ферроэлектриков, всегда приписывали простоту, скорость и надежность в эксплуатации, свойственную DRAM, а также энергонезависимость и время хранения, присущее флэш-памяти. К дополнительным достоинствам FeRAM необходимо также отнести стойкость к радиации и другим проникающим излучениям. Это может быть широко востребовано в специальных приборах, например, исследовательских, предназначенных для нужд космоса или дозиметрических - для работы в жестких условиях высокой радиоактивности либо загрязненной окружающей среды.

Напомним, для ферроэлектриков характерна достаточно большая электрическая проницаемость, а также спонтанная поляризация. Наличие последней говорит о том, что без наложения электрического поля материал уже имеет некую поляризацию, способную после наложения внешнего электрического поля менять свой знак. Поляризация материала при нулевом электрическом поле имеет два противоположных по знаку значения - они могут быть истолкованы как "0" или "1", для организации интерпретатора двоичной системы исчисления. Кроме того, ферроэлектрикам присущ гистерезис поляризации, в зависимости от электрического поля, то есть имеется некоторое запаздывание одной характеристики от другой.

Современные достижения производителей памяти FeRAM еще раз подтверждают большую перспективность этой технологии. Очень показательны достижения компании Hynix Semiconductor, которая недавно заявила о новых результатах в области освоения производства микросхем FeRAM. Компания представила опытные образцы ферроэлектрических чипов объемами 4 и 8 Мбит и сообщила, что вскоре сможет увеличить их емкость в сотни раз.


Содержание  Назад  Вперед