Подсистемы хранения данных



         

Что вслед за флэш? - часть 10


Коммерчески готовые чипы MRAM есть и у фирмы Honeywell International. В частности, согласно опубликованной спецификации, 1-Мбит чип MRAM обладает архитектурой 65K word x 16 bit, выпускается с соблюдением норм 0,15-мк технологического процесса по технологии SOI. Поддерживается напряжение питания 3,3 В и 1,8 В.

На ту же роль, что и MRAM, претендует новый тип энергонезависимой памяти, являющийся результатом труда компании Royal Philips Electronics. Ячейки этой памяти выполнены из вещества, способного в электрическом поле изменять фазовое состояние и сохранять его при отключении тока. Кстати, подобные материалы широко применяются в основе дисков DVD-RW: в режиме записи лазер нагревает рабочий слой диска, переводя его материал из кристаллического состояния в аморфное. Процесс считывания, в свою очередь, основан на разнице в отражающей способности вещества в разных состояниях, воспринимаемой датчиком дисковода. По аналогичному принципу действует и память Philips, в которой используется смесь иридия с сурьмой. Данное вещество меняет фазовое состояние в электрическом поле напряженностью всего 14 В/мкм, что существенно меньше в сравнении с напряжениями, необходимыми для работы современных КМОП-микросхем. Кроме того, фазовый переход в памяти нового типа занимает в 100–200 раз меньше времени, чем требуется на программирование ячейки флэш-памяти.

В предложенной компанией технологии участок материала, выполняющий роль ячейки памяти, окружен слоем диоксида кремния, который, во-первых, обладает малой теплопроводностью, во-вторых, позволяет предотвратить химические реакции на поверхностях соприкосновения и предоставляет таким образом дополнительную свободу в выборе вещества электродов. Изменение фазового состояния происходит очень быстро — так, в прототипных устройствах, изготовленных Philips, для этого требовалось примерно 30 нс. В компании полагают, что благодаря подобным функциональным характеристикам разработка вполне может рассматриваться в качестве альтернативы нынешней DRAM, а в дальнейшем — претендовать на роль так называемой унифицированной памяти.




Содержание  Назад  Вперед