Подсистемы хранения данных



         

Что вслед за флэш? - часть 4


На их основе ученые создали транзистор, поверх которого расположен слой нитрида кремния, помещенный между двумя слоями оксида кремния. Такая многослойная структура удерживает электрический заряд, а транзистор нужен в качестве стока/истока. При вертикальном размещении, как отмечают специалисты, благодаря таким «носителям» информации можно создавать память с плотностью 200 Гбит/дюйм, что примерно в 200 раз больше плотности чипов, используемых сегодня. Такая память способна хранить данные в течение 10–15 лет.

Также на основе нанотехнологии создана и энергонезависимая память под названием NRAM. Идея инженеров компании Nantero — ее разработчиков, состоит в использовании углеродных нанотрубок с толщиной стенок в один атомный слой и диаметром порядка 20 нм, которые на двух кремниевых подложках заключены в массив таким образом, что образуют группу взаимно пересекающихся под прямым углом элементов. В исходном состоянии, соответствующем логическому нулю, нанотрубки не соприкасаются между собой, и расстояние между ними составляет несколько нанометров. Однако если приложить к ним разность потенциалов, они соприкоснутся и будут находиться в таком положении до тех пор, пока не применить противоположное напряжение. Из-за того, что в двух противоположных состояниях эти элементы имеют различное электрическое сопротивление, может быть создан интерпретатор двоичной системы исчисления. Причем, по словам специалистов Nantero, с целью достижения избыточности и предотвращения утери данных в одном бите участвует значительное количество таких пар. О перспективах технологии Nantero можно судить по таким данным: плотность записи информации в устройствах NRAM может достигать 5 млрд бит на квадратный сантиметр (в несколько десятков раз больше, чем в нынешних высокоемких микросхемах памяти), а частота обмена данными может составлять 2 ГГц.

Впрочем, как и любая новая технология, NRAM не лишена ряда сложностей. Главная проблема в реализации новой методологии заключается в необходимости точного и равномерного размещения нанотрубок на кремниевых подложках.


Содержание  Назад  Вперед