Подсистемы хранения данных



         

Что вслед за флэш? - часть 7


Вторая особенность Hynix FRAM — применение нестандартного ферроэлектрического материала BLT (Bismuth Lanthanum Titanate, Bi3,25La0,75Ti3O12), что, по заявлению Hynix Semiconductor, позволило значительно увеличить устойчивость чипов к внешним электромагнитным шумам и повысить их общую надежность. По мнению специалистов компании, чипы разработаны с таким расчетом, что выпуск более емких, 64-Мбитных изделий не потребует дополнительных затрат на разработки – очевидно, они могут быть созданы путем простого комбинирования существующих 4- и 8-Мбитных микросхем. Что же касается остальных характеристик чипов от Hynix, при производстве по старому технологическому процессу 0,25 мк (по крайней мере, это касается опытных образцов) они работают на напряжении 3 В, характеризуются временем доступа 60–70 нс и способны обеспечить до 100 млрд циклов чтения/записи.

Усовершенствовав технологию разработки FRAM-чипов, компания Matsushita Electric не только создала более компактные и емкие чипы, но и выполнила их по технологии «система-на-чипе» (System-on-a-Chip — SoC), пользующейся всевозрастающей популярностью, поскольку позволяет на одном кристалле чипа сформировать сложную и функционально законченную структуру. Чипы FRAM Matsushita производит по 0,18-мк техпроцессу — самому миниатюрному на сегодня, который применяется для создания ячейки ферроэлектрической памяти (Hynix, например, использует для этих целей 0,25-мк технологию). Благодаря переходу на 0,18-мк литографию Matsushita смогла снизить энергопотребление своей памяти и в пять раз увеличить скорость записи данных в ячейки. Рабочее напряжение FRAM от Matsushita равно 1,1 В. Материал, предназначенный для изготовления удерживающих заряд конденсаторов, не содержит свинца (особая гордость компании) и называется стронций-висмут-тантал (SrBi2Ta2O).

Компания Infineon совместно с Toshiba исправила другой недостаток технологии FRAM, предложив свой подход к созданию памяти — трехмерную архитектуру, в которой конденсаторы расположены вертикально.


Содержание  Назад  Вперед