Подсистемы хранения данных



         

Что вслед за флэш? - часть 9


Это магниторезистивная память (Magnetic RAM — MRAM). В качестве элементарной ячейки в устройствах MRAM применяется тонкая магнитная пленка на кремниевой подложке. MRAM — память статическая, не требует периодической перезаписи, при выключении питания записанная информация не теряется.

Сегодня многие специалисты называют MRAM технологией памяти следующего поколения, так как скоростные показатели существующих прототипов очень высоки — по данным IBM, время записи в MRAM не превышает 2,3 нс, что более чем в 1000 раз быстрее, нежели время записи в флэш-память и в 20 раз быстрее скорости обращения к FRAM. Время чтения произвольного бита не превышает 3 нс, — 20 раз меньше, чем для DRAM, а потребляемый ток составляет около 2 мА, то есть меньше тока потребления DRAM в 100 раз. Кроме того, MRAM, в отличие от SRAM, устойчива к внешним электромагнитным воздействиям.

У MRAM есть и другое достоинство — невысокая стоимость чипов на ее основе. В отличие от флэш-памяти, которая производится по специализированному процессу КМОП, микросхемы MRAM можно выпускать по стандартному процессу. В результате изготовление больших объемов таких микросхем обходится дешевле.

О достижениях в разработке нового типа оперативной памяти, использующей магнитные заряды, сообщила недавно компания Infineon Technologies, совместно с IBM продемонстрировавшая прототип микросхемы памяти MRAM емкостью 16 Мбит.

Успешную работу в области создания MRAM-запоминающих устройств ведет и компания NEC. В новой микросхеме MRAM ее разработки предусмотрены узловые (cross-point — CP) ячейки памяти, а емкость составляет 512 кбит. Чип изготовлен по 0,25-мк КМОП-технологии и 0,6-мк технологии MRAM. Структура ячейки памяти включает числовую шину (word line), разрядную шину (bit line) и магнитный туннельный переход (MTJ). Благодаря особой конструкции массива ячеек памяти инженерам NEC удалось добиться заметного снижения паразитных шумов, что привело к улучшению соотношения сигнал/шум во время операции чтения данных и одновременно позволило уменьшить размеры чипа на 20%.




Содержание  Назад  Вперед